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本文主要介绍了高压微射流均质机是什么，高压微射流均质机与高压均质机的区别，高压微射流均质机的工作原理、应用领域、简单的选型依据及高压微射流均质机的类型、特征及应用领域。

生物基和单壁碳纳米管（SWCNT）为关键组分的纳米复合材料在电子封装领域展现出广阔的应用前景，但其实际应用需在确保储存稳定性的同时，兼顾对电子器件工作环境的适应性（如绝缘兼容性、导热导电均衡性），以满足电子设备高可靠性需求。

随着印刷行业向数字化、高精度化转型，喷头堵塞与储存沉淀成为制约墨水产品质量与生产效率的核心痛点，其根源均与墨水粒度分布不均、尾端大颗粒残留及颗粒分散稳定性不足直接相关。奥法美嘉打造墨水粒度控制一体化解决方案，精准解决墨水堵头与沉淀难题，实现墨水生产全流程粒度精准管控与稳定性保障。本文结合墨水生产全流程，详细阐述该一体化解决方案的核心架构、产品应用及实际质控价值，为墨水行业质控升级提供技术参考与实践支撑。

化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP）是实现材料与器件无损伤平坦化加工的关键技术。在抛光液（Slurry）中，氧化剂作为核心组分，其种类与浓度直接影响材料去除率（MRR）、表面质量及缺陷率等关键性能。过氧化氢（H₂O₂）因氧化能力强、成本低且环境友好等优势，在此过程中得到广泛应用。随着先进制程的不断发展，H₂O₂浓度的轻微波动即会对整个CMP工艺产生显著影响，因此其浓度检测日益重要。本文系统阐述了H₂O₂在CMP过程中的作用机制，并重点分析了其浓度变化对MRR、表面粗糙度及缺陷形成的影响。此外，针对高制程CMP工艺对工艺稳定性的要求，Entegris 公司旗下的 SemiChem APM 200 浓度计专为实现 H₂O₂ 浓度实时监测而设计，有助于进一步提升CMP工艺的稳定性。

纳米二氧化硅（SiO₂）是油墨、涂料等行业的常用多功能材料，其分散体的储存稳定性直接关系到最终产品性能。传统稳定性分析方法耗时久且难以实现量化评估，存在一定局限。本研究借助 LUMiSizer 全功能型稳定性分析仪，基于其空间时间解析消光图谱（STEP）技术，系统考察了不同类型的聚阳离子对疏水型气相二氧化硅（AEROSIL® OX 50）分散体稳定性的影响。通过该仪器可直接获取沉降速度、积分透射率曲线等关键数据，进而实现分散体稳定性的定量评估与货架期预测，同时明确了最佳聚阳离子类型及浓度，为纳米二氧化硅分散体的配方筛选及优化提供了有效的技术支撑。

疫苗中亚可见颗粒的存在对产品的安全性、有效性及质量一致性具有重要影响。这些颗粒可能来源于蛋白质聚集、乳化剂聚集或外源性微粒，尽管尺寸处于亚可见范围，仍可能诱发免疫反应或注射部位不良反应。由于亚可见颗粒粒径小、来源复杂、浓度低且易受配方干扰，传统检测手段难以实现准确量化。AccuSizer颗粒计数器凭借高灵敏度、宽动态范围、高分辨率和快速测量的优势，能够有效解决疫苗亚可见颗粒检测中的关键难题，为疫苗研发、质量控制及法规符合提供可靠工具。本文系统分析了亚可见颗粒的特性及其对疫苗质量的影响，总结了检测难点，并探讨了AccuSizer在相关应用中的优势与实践案例。

本文隶属于不溶性微粒应用专题，全文共 3496 字，阅读大约需要 10 分钟

在半导体制造的微观世界里，化学机械抛光（CMP）工艺是实现晶圆表面极致平坦化的关键步骤，双氧水（H₂O₂）作为CMP研磨液（Slurry）中的核心氧化剂，其浓度的精准监测如同精密齿轮间的润滑剂，对抛光效果和良品率起着决定性作用。SemiChem在线滴定仪凭借其卓越的高灵敏度、稳定性与灵活性，在CMP Slurry中H₂O₂浓度监测领域脱颖而出，成为全球众多晶圆厂的不二之选，为半导体制造的高精度需求提供了坚实的技术保障。

本文针对电子行业纤维材料形貌分析的需求，系统阐述了FlowCam成像技术在纤维团聚表征中的应用价值。结合PSI高压微射流均质机解团处理实验，验证了该技术能直观呈现纤维从团聚到分散的形貌演变过程，并通过颗粒浓度、长径比分布等数据量化评估解团效果。因此，引入基于成像的粒子分析技术（Flow Imaging Microscopy, FIM），可直接对流动液体进行成像，自动对每根颗粒（纤维、液滴、气泡等）拍照并提取几何指标，获取高通量数据，对于质量控制与工艺优化具有重要意义。

本文基于 LUMiSpoc 单粒子光学计数器的技术特性及实际测样需求，探讨了水溶液中纳米及微米级颗粒的检测方案。针对水溶液颗粒检测中浓度范围宽、粒径跨度大、干扰因素多等难点，采用单粒子光散射技术（SPLS）实现了精准分析。该技术可在 40nm~8μm 粒径范围内实现高精度计数，浓度覆盖 103~109 #/mL，且重复测试相对标准偏差（RSD）低于 5%，为水溶液颗粒的质量控制与科研分析提供了可靠技术支撑。

随着电动汽车和储能技术的快速发展，锂离子电池需求激增，电池回收成为保障材料供应链的关键。欧盟法规要求到2031年，铜、钴、镍的最低回收率需达到95%，锂需达到80%，其中石墨作为关键原材料，其回收的重要性日益凸显。传统火法和湿法冶金回收工艺存在能耗高、污染重、材料结构破坏等问题，尤其是石墨等非金属材料易损失。 本研究通过卧螺离心机对水性负极浆料进行离心分级，实现了石墨（活性材料）和炭黑（导电添加剂）的直接回收。同时，开发了基于LUMiSizer离心沉降和激光衍射两种检测分析方法，可有效评估分离效率，验证了离心法回收负极材料的可行性。

2025 版《中国药典》<0903>章节对光阻法检测体系进行了修订。本次修订围绕检测方法、判定标准及数据管理等维度进行优化，为制药行业提供了更科学、更严谨的微粒控制技术规范。以下为对2025年CP<0903>不溶性微粒检查法 更新部分的解读。

在医药和化妆品行业中脂质体是由磷脂制作而成的小球，它的粒径和表面电荷的检测是非常重要的一项。动态光散射是检测亚微米脂质体最常见的分析技术，单颗粒光学传感技术用于检测大于1微米的脂质体。Nicomp 380激光粒度仪和AccuSizer 780颗粒计数器在世界各地的实验室都在为脂质体检测粒径和电位(zeta电位)。

随着新能源汽车和储能市场对高性能锂电池需求的不断增长，锂电池涂布工艺的优化成为提升电池性能和质量的关键环节。本文深入探讨了大颗粒计数（Large Particle Counts，LPC）对锂电池涂布工艺的影响，并提出了从原材料控制到涂布工艺优化、在线监测与反馈以及后处理工艺的全流程优化策略。研究结果表明，LPC控制不仅能够显著提升锂电池的性能和一致性，还能有效降低生产成本，为锂电池制造工艺的进一步优化提供了理论和实践依据。未来，随着检测技术和自动化控制技术的不断发展，LPC控制将在锂电池生产中发挥更为重要的作用。

在半导体制造中，化学机械抛光（CMP）和刻蚀后清洗是确保晶圆表面质量的关键工序。CMP通过化学与机械结合的方式实现表面平坦化，而刻蚀后清洗则去除刻蚀残留和污染物，保证后续工艺的顺利进行。在CMP工艺中，LPC（大颗粒污染物）监测和H₂O₂浓度控制至关重要，前者防止颗粒划伤晶圆表面，后者确保氧化能力的稳定，从而影响去除率和表面质量。在刻蚀后清洗中，DSP+溶液中的H₂SO₄和HF浓度监测对于控制清洗效果至关重要，过高或过低的酸浓度会影响金属去除和氧化物清洗效率。高效的在线监控方案是提高良品率和确保工艺稳定性的关键。

为PI行业量身打造颗粒度检测设备，提供P1颗粒度检测全套解决方案。针对于PI浆料样品，使用AccuSizer780系列以及在线设备进行粒度检测。颗粒度或称洁净度是PI浆料在柔性显示、微电子等应用中一大关键技术性能，严重影响着柔性显示屏及电子元器件等的可靠性。PSS粒度仪能为此样品提供整套解决方案，为您得出最可靠的数据。

化学机械抛光(CMP)是一种广泛应用于半导体晶圆加工，通过结合化学力和机械力对晶圆表面进行抛光、平坦化。CMP Slurry(抛光液研磨液)是用于CMP工艺中的重要原料，通常由纳米及亚微米级别原料组成。而Slurry中的大颗粒的存在易在CMP工艺中对晶圆表面造成划痕，CMP; Slurry均一性;磨料粒径:Slurry稳定性;大颗粒影响成品良率。因此在生产和使用过程中，都会特别注意对Slurry“大颗粒”的控制，此外，Slurry的稳定性和均一性对CMP工艺有着重要影响。工业中的 Slurry 是循环使用的，Slurry中的化合物浓度的高低直接影响化学反应速率，研磨颗粒浓度高低则影响研磨效率及良率，因此，工业中还需对各组分浓度进行监测用于选择添加或稀释对应组分。奥法美嘉提供离线和在线两套方案用于解决CMP Slurry稳定性及均一性问题。离线方案使用HM&M珠磨机(小试和生产型)研磨分散制备Slurry，使用PSS(母公司:Entegris)Nicomp粒度仪系列和AccuSizer计数器系列对Slry进行粒度检测，使用Lum 系列稳定性分析仪对Slurry进行稳定性分析。在线解决方案中采用Entegris的浓度计和过滤器分别对工业生产中重复使用的Slurry进行浓度监测和除杂(过滤金属杂质及过大研磨颗粒)。采用PSS Onine 粒度检测设备进行在线粒度监测。

本文主要探讨了胶体悬浮液的稳定性控制问题。胶体悬浮液在药物输送、软饮料制造、涂层、抛光等领域有广泛应用，其稳定性对产品性能、保质期、生产效率和成本控制至关重要。文章介绍了 单颗粒光学传感技术（SPOS）技术和加速离心分析结合空间光谱（STEP）分析技术在胶体稳定性分析中的作用，SPOS 技术可精确测量粒子大小和浓度，加速离心分析结合STEP技术，空间-时间消光谱图快速评估胶体稳定性。通过对碳酸钙浆液、软饮乳液和 CMP Slurry 等样品的测量，表明这两种技术能有效分析胶体样本的粒径分布及稳定性。有助于制造商识别不合规格的产品，优化生产工艺，提高产品质量。

随着半导体行业的蓬勃发展，作为重要工艺段的CMP获得了广泛的关注。而作为此工艺段的重要原料-CMP slurry，更是诸多学者研究的对象。本文将重点结合Liu团队2018年在ECS发布的论文：《Effects of Large Particles on MRR, WIWNU and Surface Quality in TEOS Chemical Mechanical Polishing Based on FA/O Alkaline Slurry》展开介绍 TEOS 是一种特殊的二氧化硅，以四乙基硅酸盐为原料沉积而成，作为阻挡层下的牺牲层。TEOS的均匀性和表面质量对集成电路的可靠性有着至关重要的作用，因此，本文探讨了LPC对TEOS表面质量和抛光过程的影响。 通过实验验证，LPC对MRR（材料去除率）、WIWUN（片内非均匀性）、RMS（均方根粗糙度）都有显著影响：LPC的存在导致边缘MRR增加、WIWNU和RMS粗糙度恶化，使得TEOS晶圆表面质量下降，影响到抛光效率和良品率。

奥法美嘉平台提供整套的微球制备及粒度表征控制整套解决方案，可用于快速评估、优化配方和工艺:PSI高压微射流均质机用于制备、Nicomp粒度分析仪分析平均粒径、AccuSizer颗粒计数器分析大粒子浓度，Entegris-ANOW滤芯过滤杂质及大颗粒。