半导体行业应用专题 | 二氧化铈抛光液过滤工艺除大颗粒效果实测与优化方案
在半导体制造的二氧化铈(CeO₂)化学机械抛光(CMP)工艺中,抛光液内的尾端大颗粒(Large Particle Count,LPC)是影响晶圆抛光质量与良率的关键因素。研磨液本身是一个动态稳定体系,在存储、使用中外界条件的轻微变化均有可能导致LPC的产生。本研究采用单颗粒光学传感技术(SPOS)A7000AD进行检测,系统评估了不同孔径滤芯(单一过滤与复合过滤工艺)对抛光液大颗粒浓度的去除效果,结果表明:采用0.5μm滤芯初次过滤相比1μm滤芯可使≥0.5μm颗粒浓度降低约45%,≥2μm颗粒浓度降低约48%;在此基础上增加0.22μm终端精滤,可实现大颗粒浓度数量级下降(≥0.5μm颗粒降至2.1×10⁶颗/mL)。
46 人阅读发布时间:2026-07-17 14:47