半导体行业应用专题 | CMP浆料中过氧化氢浓度对工艺良品率影响
化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)是实现材料与器件无损伤平坦化加工的关键技术。在抛光液(Slurry)中,氧化剂作为核心组分,其种类与浓度直接影响材料去除率(MRR)、表面质量及缺陷率等关键性能。过氧化氢(H₂O₂)因氧化能力强、成本低且环境友好等优势,在此过程中得到广泛应用。随着先进制程的不断发展,H₂O₂浓度的轻微波动即会对整个CMP工艺产生显著影响,因此其浓度检测日益重要。本文系统阐述了H₂O₂在CMP过程中的作用机制,并重点分析了其浓度变化对MRR、表面粗糙度及缺陷形成的影响。此外,针对高制程CMP工艺对工艺稳定性的要求,Entegris 公司旗下的 SemiChem APM 200 浓度计专为实现 H₂O₂ 浓度实时监测而设计,有助于进一步提升CMP工艺的稳定性。
119 人阅读发布时间:2026-02-24 17:24