半导体行业应用专题 | Slurry从生产到POU使用端的全流程LPC控制一体化解决方案
在半导体制造中,化学机械抛光(CMP)工艺用于去除晶圆表面的多余材料,实现全局平坦化,以满足后续光刻、刻蚀等工艺的要求。CMP工艺的效率和质量直接依赖于抛光液(Slurry)的性能,尤其是其中的大颗粒污染物(LPC)。LPC的存在可能导致晶圆表面划痕、缺陷增加,甚至影响器件的电学性能。因此,控制Slurry中LPC的数量是确保CMP工艺成功的关键。本文将详细介绍从Slurry生产到POU使用端的全流程LPC控制方案,结合实际应用案例,展示如何通过一体化解决方案提高CMP工艺的稳定性和良率。
64 人阅读发布时间:2026-01-22 17:17