化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)技术被誉为是当今时代能实现集成电路(IC)制造中晶圆表面平坦化的重要技术,CMP的效果直接影响到晶圆、芯片最终的质量和良率。CMP是通过表面化学作用和机械研磨相结合的技术来实现晶圆表面平坦化。CMP过程中将Slurry(抛光液,也称抛光液)滴在晶圆表明,用抛光垫以一定的速度进行抛光,使得晶圆表面平坦化。
在CMP工艺中,对于Slurry而言,影响其抛光效率的因素有:Slurry的化学成分、浓度;磨粒的种类、大小、形状和浓度;Slurry的黏度、pH值、流速、流动途径等。 Slurry的磨料粒子通常为纳米或亚微米级别,粒径越小,表面积越大,表面能越大(或表面张力越大),越易团聚,而团聚而成的大颗粒会在晶圆表面产生划痕缺陷,直接影响产品良率。抛光液平均粒径越小,则对稳定性的控制挑战越大。
燕禾,吴春蕾,唐旭福,段先健,王跃林.化学机械抛光技术研究现状及发展趋势[J].材料研究与应用,2021,15(04):432-440.
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CMP Slurry均一性的一体化解决方案1.0(短篇).pdf
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