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技术资料/正文
464 人阅读发布时间:2023-03-07 14:01
光刻胶是利用光化学反应经曝光、显影、刻蚀、去胶等工艺将需要的图形从掩模版转移到待加工衬底上的材料。经曝光后,光刻胶在显影液中溶解度会发生变化,从而可以形成图案。
光刻胶是国际上技术门槛最高的微电子化学品之一,占芯片制造时间的40%~50%,光刻胶是光刻工艺得以实现选择性刻蚀的关键材料。光刻胶成分复杂,主要成分有高分子树脂、色浆、单体、感光引发剂、溶剂以及添加剂。国内缺乏生产光刻胶所需的原材料,作为生产光刻胶最重要的色浆,至今依赖日本,其核心技术至今被TOK、JSR、住友化学、信越化学等日本企业所垄断。开发光刻胶用的色浆,具有重要得意义。[1]
光刻胶涉及技术复杂,需从低聚物结构设计和筛选、合成工艺的确定和优化、活性单体的筛选和控制、色浆细度控制和稳定、产品配方设计和优化、产品生产工艺优化和稳定、最终使用条件匹配和宽容度调整等方面进行调整。[1]
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